พิมพ์หน้า
SI7844DP-T1-E3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 10 A, 0.022 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI7844DP-T1-E3สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1470134RL
เทปตัด1470134
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI7844DP-T1-E3สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1470134RL
เทปตัด1470134
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel10A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ตัวเลือกสำหรับ SI7844DP-T1-E3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SI7844DP-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
10A
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000214