พิมพ์หน้า
SI7434DP-T1-GE3
N CHANNEL MOSFET, 250V, 3.8A, SOIC
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ไม่มีสต็อกแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI7434DP-T1-GE3สำเนา
รหัสสินค้า2132253
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source On State Resistance0.129ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage6V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
6V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.129ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000298