พิมพ์หน้า
SI7252ADP-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI7252ADP-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต72 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3650268RL
เทปตัด3650268
Product RangeTrenchFET Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
2,850 ในสต็อก
12,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
2,850 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB108.920 | THB108.92 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB108.92 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB108.920 |
| 10+ | THB53.870 |
| 100+ | THB48.370 |
| 500+ | THB38.900 |
| 1000+ | THB33.940 |
| 5000+ | THB33.270 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI7252ADP-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต72 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3650268RL
เทปตัด3650268
Product RangeTrenchFET Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel28.7A
Continuous Drain Current Id P Channel28.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0155ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0155ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel33.8W
Power Dissipation P Channel33.8W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
28.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0155ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
33.8W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
28.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0155ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
33.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ SI7252ADP-T1-GE3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.004536