พิมพ์หน้า
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์

ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI7102DN-T1-E3สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1497630RL
เทปตัด1497630
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI7102DN-T1-E3สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1497630RL
เทปตัด1497630
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance3800µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SI7102DN-T1-E3 is a 12VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, secondary synchronous rectification and point-of-load applications.
- 100% Rg tested
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- -50 to 150°C Operating temperature range
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
3800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000064
