พิมพ์หน้า
SI6415DQ-T1-E3.
MOSFET
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ไม่มีสต็อกแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI6415DQ-T1-E3.สำเนา
รหัสสินค้า1353362
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6.5A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTSSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
ตัวเลือกสำหรับ SI6415DQ-T1-E3.
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.5A
Transistor Case Style
TSSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002