พิมพ์หน้า
SI5504BDC-T1-E3
Dual MOSFET, N and P Channel, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.053 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI5504BDC-T1-E3สำเนา
รหัสสินค้า3772764
Product RangeTrenchFET Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI5504BDC-T1-E3สำเนา
รหัสสินค้า3772764
Product RangeTrenchFET Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.053ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.053ohm
Transistor Case StyleChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.12W
Power Dissipation P Channel3.12W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.053ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.12W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.053ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation N Channel
3.12W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001