พิมพ์หน้า
SI5479DU-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 16 A, 0.039 ohm, PowerPAK ChipFET, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI5479DU-T1-E3สำเนา
รหัสสินค้า1497621
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Transistor Case StylePowerPAK ChipFET
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage1.8V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation17.8mW
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Transistor Case Style
PowerPAK ChipFET
Rds(on) Test Voltage
1.8V
Power Dissipation
17.8mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0002