พิมพ์หน้า
SI4816BDY-T1-E3
Dual MOSFET, LITTLE FOOT, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 9300 µohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI4816BDY-T1-E3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต63 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2547314RL
เทปตัด2547314
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB109.550 | THB109.55 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB109.55 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB109.550 |
| 10+ | THB63.730 |
| 100+ | THB49.150 |
| 500+ | THB39.240 |
| 1000+ | THB32.080 |
| 5000+ | THB31.440 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI4816BDY-T1-E3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต63 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2547314RL
เทปตัด2547314
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel5.8A
Continuous Drain Current Id P Channel5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel9300µohm
Drain Source On State Resistance P Channel9300µohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.25W
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SI4816BDY-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET with Schottky diode housed in a surface-mount package.
- LITTLE FOOT® Plus power MOSFET
- 100% Rg tested
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
9300µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
9300µohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ SI4816BDY-T1-E3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000364