พิมพ์หน้า
SI4288DY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI4288DY-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน3879344
ม้วนตัดแบ่ง2056718RL
เทปตัด2056718
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB54.990 | THB274.95 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB274.95 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB54.990 |
| 50+ | THB46.270 |
| 100+ | THB37.540 |
| 500+ | THB31.450 |
| 1000+ | THB29.330 |
เต็มม้วน
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 2500+ | THB20.100 |
| 7500+ | THB19.700 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI4288DY-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน3879344
ม้วนตัดแบ่ง2056718RL
เทปตัด2056718
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel9.2A
Continuous Drain Current Id P Channel9.2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0165ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0165ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SI4288DY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for CCFL inverter, DC-to-DC converter and HDD applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
การใช้งาน
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
9.2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0165ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
9.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0165ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (3)
ตัวเลือกสำหรับ SI4288DY-T1-GE3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000726