พิมพ์หน้า
SI4100DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 6.8 A, 0.063 ohm, SOIC, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI4100DY-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต138 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1779251RL
เทปตัด1779251
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB73.640 | THB73.64 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB73.64 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB73.640 |
| 10+ | THB46.320 |
| 100+ | THB30.330 |
| 500+ | THB24.060 |
| 1000+ | THB19.530 |
| 5000+ | THB19.280 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI4100DY-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต138 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1779251RL
เทปตัด1779251
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.8A
Drain Source On State Resistance0.063ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SI4100DY-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high frequency boost converter and LED backlight for LCD TV applications.
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
การใช้งาน
Industrial, Power Management, LED Lighting
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.063ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ SI4100DY-T1-GE3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0005