พิมพ์หน้า
SI2369DS-T1-BE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
พร้อมให้สั่งซื้อ
ลงทะเบียนเพื่อรับข่าวที่นี่
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 10+ | THB23.620 |
| 100+ | THB12.260 |
| 500+ | THB10.310 |
| 1000+ | THB8.810 |
| 3000+ | THB7.490 |
| 6000+ | THB6.540 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 10
หลายรายการ: 10
THB236.20
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI2369DS-T1-BE3สำเนา
รหัสสินค้า5125782
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.6A
Drain Source On State Resistance0.029ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.015