พิมพ์หน้า
SI2333DDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI2333DDS-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต56 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2283650RL
เทปตัด2283650
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
1,295 ในสต็อก
42,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
1,295 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB18.050 | THB90.25 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB90.25 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB18.050 |
| 50+ | THB14.850 |
| 100+ | THB11.640 |
| 500+ | THB5.990 |
| 1500+ | THB5.880 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI2333DDS-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต56 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2283650RL
เทปตัด2283650
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SI2333DDS-T1-GE3 is a 12VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and battery switch applications.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ SI2333DDS-T1-GE3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00012