พิมพ์หน้า
SI2314EDS-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 4.9 A, 0.033 ohm, TO-236, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI2314EDS-T1-E3สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1470104RL
เทปตัด1470104
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI2314EDS-T1-E3สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1470104RL
เทปตัด1470104
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.9A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation750mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ตัวเลือกสำหรับ SI2314EDS-T1-E3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SI2314EDS-T1-E3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for LI-ion battery protection applications.
- 3000V ESD protected
- -55 to 150°C Operating temperature range
การใช้งาน
Industrial, Power Management, Portable Devices
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.9A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation
750mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0001