พิมพ์หน้า
SI2300DS-T1-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI2300DS-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต37 สัปดาห์
รหัสสินค้า2459407
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
6,466 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
6,466 จัดส่งใน 4-5 วันทำการ(สหรัฐอเมริกา สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB23.860 |
| 10+ | THB14.720 |
| 100+ | THB9.420 |
| 500+ | THB7.130 |
| 1000+ | THB5.450 |
| 5000+ | THB4.480 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 5
หลายรายการ: 5
THB119.30
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI2300DS-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต37 สัปดาห์
รหัสสินค้า2459407
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source On State Resistance0.068ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source On State Resistance
0.068ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Transistor Case Style
SOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (3)
ตัวเลือกสำหรับ SI2300DS-T1-GE3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000044