พิมพ์หน้า
SI1036X-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI1036X-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต53 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3929262RL
เทปตัด3929262
Product RangeTrenchFET Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
10 ในสต็อก
24,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
10 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| ม้วนตัดแบ่ง | 5 | THB22.810 | THB114.05 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB114.05 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB22.810 |
| 10+ | THB10.270 |
| 100+ | THB9.020 |
| 500+ | THB6.810 |
| 1000+ | THB5.130 |
| 5000+ | THB4.420 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI1036X-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต53 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3929262RL
เทปตัด3929262
Product RangeTrenchFET Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id610mA
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.45ohm
Continuous Drain Current Id N Channel610mA
Continuous Drain Current Id P Channel610mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.45ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.45ohm
Transistor Case StyleSC-89
Gate Source Threshold Voltage Max1V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd220mW
Power Dissipation N Channel220mW
Power Dissipation P Channel220mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
610mA
On Resistance Rds(on)
0.45ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
610mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.45ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.45ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
220mW
Power Dissipation P Channel
220mW
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
610mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SC-89
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
220mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001