พิมพ์หน้า
SI1016CX-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI1016CX-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน3879341
ม้วนตัดแบ่ง2056711RL
เทปตัด2056711
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
2 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB28.270 | THB141.35 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB141.35 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB28.270 |
| 50+ | THB23.080 |
| 100+ | THB17.890 |
| 500+ | THB8.170 |
| 1500+ | THB8.010 |
เต็มม้วน
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 3000+ | THB5.220 |
| 9000+ | THB4.970 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI1016CX-T1-GE3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน3879341
ม้วนตัดแบ่ง2056711RL
เทปตัด2056711
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel600mA
Continuous Drain Current Id P Channel600mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.33ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.33ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel220mW
Power Dissipation P Channel220mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SI1016CX-T1-GE3 is a N/P-channel complementary MOSFET designed for use with load switch, small signal switches and level-shift switches, battery operated systems and Portable applications. It offers high-side switching, ease in driving switches and low offset (error) voltage.
- TrenchFET® power MOSFET
- Low-voltage operation
- High-speed circuits
- 100% Rg tested
การใช้งาน
Industrial, Portable Devices, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
600mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.33ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
220mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
600mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.33ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
220mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (3)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002