พิมพ์หน้า
IRFPG50PBF
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 6 A, 2 ohm, TO-247AC, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRFPG50PBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต28 สัปดาห์
รหัสสินค้า8649588
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
234 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
158 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
76 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB302.760 |
| 10+ | THB182.060 |
| 100+ | THB154.530 |
| 500+ | THB135.270 |
| 1000+ | THB132.570 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB302.76
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRFPG50PBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต28 สัปดาห์
รหัสสินค้า8649588
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation180W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRFPG50PBF is a 1000V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. This third generation Power MOSFET from Vishay provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low ON-resistance. It also provides greater creepage distance between pins to meet the requirements of most safety specifications.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
- Isolated central mounting hole
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
180W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ IRFPG50PBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00567