
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB106.140 |
| 10+ | THB54.160 |
| 100+ | THB49.190 |
| 500+ | THB42.650 |
| 1000+ | THB42.340 |
| 5000+ | THB41.490 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRF740LCPBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with ultra-low gate charge. This new low charge Power device achieves significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS technology, allowing for reduced gate drive requirements and total system savings. In addition, reduced switching losses and improved efficiency are achievable in a variety of high frequency applications. Frequencies of a few MHz at high current are possible using the new low charge MOSFETs. This device improvements combined with the proven ruggedness and reliability that are characteristic of Power MOSFET offers the designer a new standard in power transistors for switching applications.
- Repetitive avalanche rated
- Reduced gate drive requirement
- 30V Enhanced VGS Rating
- Reduced CISS, COSS, CRSS
- Extremely high frequency operation
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
N Channel
10A
TO-220AB
10V
125W
150°C
-
Lead (04-Feb-2026)
400V
0.55ohm
Through Hole
4V
3Pins
-
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
ตัวเลือกสำหรับ IRF740LCPBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
