พิมพ์หน้า
BPW16N
Phototransistor, 825 nm, 40 °, 100 mW, 2 Pins, T-3/4 (1.8mm)
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The BPW16N is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity in clear, plastic package with flat window. It is sensitive to visible and near infrared radiation. On PCB this package size enables assembly of arrays with 2.54mm pitch. It is suitable for detector in electronic control and drive circuits.
- Leaded package
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response time
- ϕ = ±40° Angle of half sensitivity
การใช้งาน
Sensing & Instrumentation, Automation & Process Control
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Wavelength Typ
825nm
Power Consumption
100mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Viewing Angle
40°
No. of Pins
2Pins
Automotive Qualification Standard
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000118