พิมพ์หน้า
SI7445DP-T1-E3
MOSFET, P, SO-8
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI7445DP-T1-E3สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1612652RL
เทปตัด1612652
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI7445DP-T1-E3สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1612652RL
เทปตัด1612652
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance7700µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.9W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ตัวเลือกสำหรับ SI7445DP-T1-E3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
19A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.9W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
7700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001