พิมพ์หน้า
SI5513DC-T1-E3
MOSFET, DUAL, NP, 8-1206
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI5513DC-T1-E3สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1470128RL
เทปตัด1470128
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่มีสต็อกแล้ว
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI5513DC-T1-E3สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1470128RL
เทปตัด1470128
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4.2A
Continuous Drain Current Id P Channel4.2A
Transistor Case Style1206
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.1W
Power Dissipation P Channel1.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ตัวเลือกสำหรับ SI5513DC-T1-E3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.2A
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.1W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.2A
Transistor Case Style
1206
Power Dissipation N Channel
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.14