พิมพ์หน้า
TP65H150G4PS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 8 nC, TO-220, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตRENESAS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตTP65H150G4PS
รหัสสินค้า4371976
Product RangeSuperGaN Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
721 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
27 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
694 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB246.410 |
| 10+ | THB140.960 |
| 100+ | THB130.820 |
| 500+ | THB115.940 |
| 1000+ | THB115.270 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB246.41
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตRENESAS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตTP65H150G4PS
รหัสสินค้า4371976
Product RangeSuperGaN Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Typical Gate Charge8nC
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
16A
Typical Gate Charge
8nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.138