พิมพ์หน้า
TRS12E65H,S1Q(S
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 33 A, 33 nC, TO-220
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTOSHIBA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตTRS12E65H,S1Q(Sสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต24 สัปดาห์
รหัสสินค้า4227504
เป็นที่รู้จักกันในชื่อTRS12E65H, TRS12E65H,S1Q
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
ระยะเวลารอมาตรฐานของผู้ผลิต: 24 สัปดาห์
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB168.640 |
| 10+ | THB104.480 |
| 100+ | THB87.690 |
| 500+ | THB63.830 |
| 1000+ | THB62.560 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB168.64
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTOSHIBA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตTRS12E65H,S1Q(Sสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต24 สัปดาห์
รหัสสินค้า4227504
เป็นที่รู้จักกันในชื่อTRS12E65H, TRS12E65H,S1Q
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current33A
Total Capacitive Charge33nC
Diode Case StyleTO-220
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
33nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
33A
Diode Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0019