พิมพ์หน้า
SSM6N62TU,LXHF(T
Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 V, 800 mA, 0.085 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTOSHIBA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSSM6N62TU,LXHF(Tสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต16 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4381050RL
เทปตัด4381050
Product RangeU-MOSVII-H Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSSM6N62TU, SSM6N62TU,LXHF
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
2,890 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2,890 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB29.240 | THB146.20 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB146.20 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB29.240 |
| 10+ | THB19.060 |
| 100+ | THB12.270 |
| 500+ | THB8.910 |
| 1000+ | THB7.670 |
| 5000+ | THB7.400 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTOSHIBA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSSM6N62TU,LXHF(Tสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต16 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4381050RL
เทปตัด4381050
Product RangeU-MOSVII-H Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSSM6N62TU, SSM6N62TU,LXHF
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel800mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.085ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363F
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSVII-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
U-MOSVII-H Series
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
800mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.085ohm
Transistor Case Style
SOT-363F
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:To Be Advised
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000007