พิมพ์หน้า
SSM6N57NU,LF(T
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTOSHIBA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSSM6N57NU,LF(Tสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต16 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3872306RL
เทปตัด3872306
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSSM6N57NU ,SSM6N57NU,LF
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
ระยะเวลารอมาตรฐานของผู้ผลิต: 16 สัปดาห์
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| ม้วนตัดแบ่ง | 5 | THB15.080 | THB75.40 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB75.40 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB15.080 |
| 10+ | THB10.520 |
| 100+ | THB7.300 |
| 500+ | THB5.570 |
| 1000+ | THB4.920 |
| 5000+ | THB4.140 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTOSHIBA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSSM6N57NU,LF(Tสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต16 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3872306RL
เทปตัด3872306
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSSM6N57NU ,SSM6N57NU,LF
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.03ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.03ohm
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOT-1118
Power Dissipation Pd1W
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
4A
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.03ohm
Transistor Case Style
SOT-1118
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.03ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
1W
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000045