พิมพ์หน้า
SSM6N24TU,LF(T
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 500 mA, 0.145 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTOSHIBA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSSM6N24TU,LF(Tสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต16 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4415946RL
เทปตัด4415946
Product RangeU-MOSIII Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSSM6N24TU, SSM6N24TU,LF
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
135 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
135 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB22.180 | THB110.90 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB110.90 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB22.180 |
| 10+ | THB13.620 |
| 100+ | THB8.740 |
| 500+ | THB6.600 |
| 1000+ | THB5.020 |
| 5000+ | THB3.940 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTOSHIBA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSSM6N24TU,LF(Tสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต16 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4415946RL
เทปตัด4415946
Product RangeU-MOSIII Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSSM6N24TU, SSM6N24TU,LF
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel500mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.145ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363F
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSIII Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
U-MOSIII Series
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
500mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.145ohm
Transistor Case Style
SOT-363F
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:To Be Advised
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000007