พิมพ์หน้า
SSM6L61NU,LF(T
Dual MOSFET, N and P Channel, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTOSHIBA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSSM6L61NU,LF(Tสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต16 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3872303RL
เทปตัด3872303
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSSM6L61NU ,SSM6L61NU,LF
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
11,165 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
11,165 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| ม้วนตัดแบ่ง | 5 | THB21.860 | THB109.30 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB109.30 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB21.860 |
| 50+ | THB15.570 |
| 100+ | THB10.890 |
| 500+ | THB7.800 |
| 1500+ | THB6.750 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTOSHIBA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSSM6L61NU,LF(Tสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต16 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3872303RL
เทปตัด3872303
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSSM6L61NU ,SSM6L61NU,LF
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityN and P Channel
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.025ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.025ohm
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleUDFN
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd1W
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCTo Be Advised
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.025ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.025ohm
Transistor Case Style
UDFN
Power Dissipation Pd
1W
Power Dissipation P Channel
1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:To Be Advised
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000145