พิมพ์หน้า
RFM04U6P(TE12L,F)
RF FET Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTOSHIBA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตRFM04U6P(TE12L,F)สำเนา
รหัสสินค้า3872262
เป็นที่รู้จักกันในชื่อRFM04U6P, RFM04U6P(TE12L
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTOSHIBA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตRFM04U6P(TE12L,F)สำเนา
รหัสสินค้า3872262
เป็นที่รู้จักกันในชื่อRFM04U6P, RFM04U6P(TE12L
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds16V
Continuous Drain Current Id2A
Power Dissipation7W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleSMD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
16V
Power Dissipation
7W
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SMD
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Japan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Japan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000119