พิมพ์หน้า
GT30J65MRB,S1E(S
IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pins
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTOSHIBA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตGT30J65MRB,S1E(S
รหัสสินค้า4153421
เป็นที่รู้จักกันในชื่อGT30J65MRB ,GT30J65MRB,S1E
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
พร้อมให้สั่งซื้อ
ระยะเวลารอมาตรฐานของผู้ผลิต: 22 สัปดาห์
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB123.610 |
| 10+ | THB86.050 |
| 100+ | THB71.310 |
| 500+ | THB66.270 |
| 1000+ | THB64.870 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB123.61
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTOSHIBA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตGT30J65MRB,S1E(S
รหัสสินค้า4153421
เป็นที่รู้จักกันในชื่อGT30J65MRB ,GT30J65MRB,S1E
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.4V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-3P
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-3P
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.4V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0046