STQ1HNK60R-AP
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 400 mA, 8 ohm, TO-92, Through Hole
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB39.650 |
| 10+ | THB24.900 |
| 100+ | THB16.330 |
| 500+ | THB12.640 |
| 1000+ | THB9.120 |
| 5000+ | THB8.940 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The STQ1HNK60R-AP is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- Improved ESD capability
- New high voltage benchmark
การใช้งาน
Industrial, Power Management
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
N Channel
400mA
TO-92
10V
3W
150°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
600V
8ohm
Through Hole
3V
3Pins
-
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ STQ1HNK60R-AP
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์