พิมพ์หน้า
STP62NS04Z
Power MOSFET, N Channel, 33 V, 62 A, 0.0125 ohm, TO-220, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTP62NS04Zสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต40 สัปดาห์
รหัสสินค้า9512594
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
ระยะเวลารอมาตรฐานของผู้ผลิต: 40 สัปดาห์
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB53.680 |
| 10+ | THB34.570 |
| 100+ | THB27.060 |
| 500+ | THB22.690 |
| 1000+ | THB20.140 |
| 5000+ | THB19.440 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB53.68
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTP62NS04Zสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต40 สัปดาห์
รหัสสินค้า9512594
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds33V
Continuous Drain Current Id62A
Drain Source On State Resistance0.0125ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The STP62NS04Z is a N-channel clamped fully protected Power MOSFET produced by using most advanced MESH OVERLAY™ process based on strip layout. The inherent benefits of this new technology coupled with the extra clamping capabilities make this product particularly suitable for the harshest operating conditions such as those encountered in the automotive environment. It is also recommended for any other application requiring extra ruggedness.
- 100% Avalanche tested
- Low capacitance and gate charge
- 175°C Maximum junction temperature
การใช้งาน
Automotive, Power Management, Industrial
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
62A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
33V
Drain Source On State Resistance
0.0125ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.008165