พิมพ์หน้า
STD96N3LLH6
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTD96N3LLH6สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต19 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3367029RL
เทปตัด3367029
Product RangeSTripFET VI DeepGATE
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
14,277 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
14,277 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB58.650 | THB58.65 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB58.65 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB58.650 |
| 10+ | THB27.750 |
| 100+ | THB24.720 |
| 500+ | THB23.100 |
| 1000+ | THB21.480 |
| 5000+ | THB19.860 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTD96N3LLH6สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต19 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3367029RL
เทปตัด3367029
Product RangeSTripFET VI DeepGATE
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance4200µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET VI DeepGATE
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
STD96N3LLH6 is a N-channel power MOSFET that utilizes the 6th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. Applications include switching applications, automotive.
- Extremely low on-resistance RDS(on), high avalanche ruggedness
- Low gate drive power losses
- 30V minimum drain-source breakdown voltage (ID = 250µA, VGS= 0, TCASE = 25°C)
- 0.0042ohm maximum static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 40A, TCASE = 25°C)
- 80A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 1 to 2.5V gate threshold voltage range (VDS = VGS, ID = 250µA, TCASE = 25°C)
- 2200pF typical input capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
- 400pF typical output capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
- 280pF typical reverse transfer capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
- DPAK package
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET VI DeepGATE
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00033