พิมพ์หน้า
STD150N3LLH6
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 80 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTD150N3LLH6สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3367017RL
เทปตัด3367017
Product RangeSTripFET VI DeepGATE
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTD150N3LLH6สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3367017RL
เทปตัด3367017
Product RangeSTripFET VI DeepGATE
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance2400µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation110W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET VI DeepGATE
Qualification-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Product Range
STripFET VI DeepGATE
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00035