พิมพ์หน้า
STB36NM60ND
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTB36NM60ND
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3132713RL
เทปตัด3132713
Product RangeFDmesh II
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTB36NM60ND
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3132713RL
เทปตัด3132713
Product RangeFDmesh II
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.097ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFDmesh II
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
ตัวเลือกสำหรับ STB36NM60ND
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.097ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
FDmesh II
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (3)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00035