พิมพ์หน้า
STB300NH02L
Power MOSFET, N Channel, 24 V, 80 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTB300NH02Lสำเนา
รหัสสินค้า1751991
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTB300NH02Lสำเนา
รหัสสินค้า1751991
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds24V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance1400µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation300W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
24V
Drain Source On State Resistance
1400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85423300
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0002