พิมพ์หน้า
STB12NM50T4
Power MOSFET, N Channel, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTB12NM50T4สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต26 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2344094RL
เทปตัด2344094
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
1,000 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
1,000 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB195.930 | THB195.93 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB195.93 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB195.930 |
| 10+ | THB102.960 |
| 100+ | THB93.970 |
| 500+ | THB84.970 |
| 1000+ | THB78.640 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTB12NM50T4สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต26 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2344094RL
เทปตัด2344094
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds550V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The STB12NM50T4 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET designed as MOSFET technology that associates the multiple drain process with PowerMESH™ horizontal layout. The device has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics.
- High dV/dt and avalanche capabilities
- 100% Avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Tight process control and high manufacturing yields
- Low gate input resistance
- -65 to 150°C Operating junction temperature range
การใช้งาน
Power Management, Industrial
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
550V
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00197