พิมพ์หน้า
SGT3D5R10MEB
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 201 A, 3500 µohm, 7.6 nC, En-FCLGA, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSGT3D5R10MEBสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต16 สัปดาห์
รหัสสินค้า5116009
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
185 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
185 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB129.380 |
| 10+ | THB65.160 |
| 100+ | THB58.930 |
| 500+ | THB48.000 |
| 1000+ | THB47.040 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB129.38
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSGT3D5R10MEBสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต16 สัปดาห์
รหัสสินค้า5116009
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id201A
Drain Source On State Resistance3500µohm
Typical Gate Charge7.6nC
Transistor Case StyleEn-FCLGA
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins9Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Case Style
En-FCLGA
No. of Pins
9Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
201A
Typical Gate Charge
7.6nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001