
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB219.510 | THB219.51 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB219.51 | ||
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB219.510 |
| 10+ | THB170.750 |
| 25+ | THB158.890 |
| 50+ | THB158.780 |
| 100+ | THB158.670 |
| 250+ | THB158.560 |
| 500+ | THB158.450 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
MASTERGAN4LTR is a 600V half-bridge enhancement-mode GaN HEMT with a high-voltage driver. It is an advanced power system-in-package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN transistors in a half‑bridge configuration. It features UVLO protection on VCC, preventing the power switches from operating in low efficiency or dangerous conditions, and the interlocking function avoids cross-conduction conditions. The input pins extended range allows easy interfacing with analogue controllers, microcontrollers, and DSP units. Typical applications are high-frequency resonant converters including LLC, LCC and resonant flyback, active clamp flybacks, switch-mode power supplies, chargers and adapters, PFC, high-voltage DC-DC and DC-AC converters.
- Reverse current capability, zero reverse recovery loss
- UVLO protection on VCC, internal bootstrap diode
- Interlocking function, dedicated pin for shutdown functionality
- Accurate internal timing match
- 3.3V to 15V compatible inputs with hysteresis and pull-down
- Overtemperature protection, bill of material reduction
- Very compact and simplified layout, flexible, easy, and fast design
- QFN package
- Industrial temperature range from -40°C to 125°C
- Output capacitance is 14.2pF (VGS = 0V, VDS = 400V)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
1Channels
Half Bridge
31Pins
Surface Mount
-
4.75V
-40°C
-
-
No SVHC (25-Jun-2025)
-
GaN HEMT
QFN-EP
Non-Inverting
-
9.5V
125°C
-
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
