พิมพ์หน้า
TP70H150G4LSG-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 14.2 A, 0.18 ohm, 11.3 nC, QFN, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตRENESAS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตTP70H150G4LSG-TR
รหัสสินค้า4680962
Product RangeSuperGaN Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
2,419 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2419 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB156.880 |
| 10+ | THB105.880 |
| 100+ | THB78.760 |
| 500+ | THB77.180 |
| 1000+ | THB75.610 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB156.88
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตRENESAS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตTP70H150G4LSG-TR
รหัสสินค้า4680962
Product RangeSuperGaN Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id14.2A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Typical Gate Charge11.3nC
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
TP70H150G4LSG-TR is a 700V, 150mohm SuperGaN® Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device using Renesas’ Gen IV platform. It combines a state-of-the art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Applications include consumer, power adapters, low power SMPS and lighting.
- Dynamic RDS(on)eff production tested
- Transient over-voltage capability and E-mode gate driver operation without zener protection
- Very low QRR
- Reduced crossover loss
- 2kV HBM ESD rating
- Achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits
- Easy to drive with commonly used gate drivers
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Case Style
QFN
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
14.2A
Typical Gate Charge
11.3nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001