พิมพ์หน้า
NXH50M65L4C2SG
IGBT Module, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
6 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
6 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB2,289.590 |
| 5+ | THB2,181.430 |
| 10+ | THB2,064.960 |
| 50+ | THB1,976.350 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB2,289.59
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNXH50M65L4C2SGสำเนา
รหัสสินค้า3872101
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
IGBT Configuration-
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleDIP
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
IGBT Configuration
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
-
Product Range
-
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
-
Transistor Case Style
DIP
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
เอกสารทางเทคนิค (3)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0001