พิมพ์หน้า
NXH200B100H4F2SG
IGBT Module, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Module
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNXH200B100H4F2SG
รหัสสินค้า3929803
Product RangeEliteSiC Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
10 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
10 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB5,324.520 |
| 5+ | THB5,022.180 |
| 10+ | THB4,719.840 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB5,324.52
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNXH200B100H4F2SG
รหัสสินค้า3929803
Product RangeEliteSiC Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
IGBT ConfigurationPIM
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation93W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder Pin
Collector Emitter Voltage Max1kV
IGBT TechnologyIGBT 6 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
IGBT Configuration
PIM
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder Pin
IGBT Technology
IGBT 6 [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
93W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1kV
Transistor Mounting
Panel
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.04173