พิมพ์หน้า
NXH020F120MNF1PTG
Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Four N Channel, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Module
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNXH020F120MNF1PTGสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต14 สัปดาห์
รหัสสินค้า3929798
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
18 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
18 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB5,516.490 |
| 5+ | THB5,474.000 |
| 10+ | THB5,431.500 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB5,516.49
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNXH020F120MNF1PTGสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต14 สัปดาห์
รหัสสินค้า3929798
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationFourPack
Channel TypeFour N Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.02ohm
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.81V
Power Dissipation119W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
FourPack
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
119W
Product Range
-
Channel Type
Four N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.81V
Operating Temperature Max
175°C
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.023587