พิมพ์หน้า
NXH007F120M3F2PTHG
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, M3S, Full Bridge, N Channel, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNXH007F120M3F2PTHGสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต22 สัปดาห์
รหัสสินค้า4472917
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
12 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
12 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB5,623.310 |
| 5+ | THB5,621.130 |
| 10+ | THB5,618.950 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB5,623.31
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNXH007F120M3F2PTHGสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต22 สัปดาห์
รหัสสินค้า4472917
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id149A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StylePIM
No. of Pins34Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation353W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Full Bridge
Continuous Drain Current Id
149A
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
No. of Pins
34Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
PIM
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
353W
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00001