พิมพ์หน้า
NVMYS029N08LHTWG
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 22 A, 0.029 ohm, LFPAK, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNVMYS029N08LHTWGสำเนา
รหัสสินค้า
เทปตัด4257681
เทปตัด4257681RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
ลงทะเบียนเพื่อรับข่าวที่นี่
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB36.980 |
| 10+ | THB24.480 |
| 100+ | THB20.560 |
| 500+ | THB17.010 |
| 1000+ | THB15.190 |
| 5000+ | THB14.390 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB36.98
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNVMYS029N08LHTWGสำเนา
รหัสสินค้า
เทปตัด4257681
เทปตัด4257681RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.029ohm
Transistor Case StyleLFPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation33W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Transistor Case Style
LFPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
33W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001