พิมพ์หน้า
NVBG080N120SC1
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 30A, TO-263HV-7
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNVBG080N120SC1
รหัสสินค้า4382111
Product RangeEliteSiC Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
112 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
112 จัดส่งใน 4-5 วันทำการ(สหรัฐอเมริกา สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB794.180 |
| 5+ | THB714.770 |
| 10+ | THB672.410 |
| 50+ | THB624.760 |
| 100+ | THB582.400 |
| 250+ | THB561.880 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB794.18
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNVBG080N120SC1
รหัสสินค้า4382111
Product RangeEliteSiC Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation179W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
179W
Product Range
EliteSiC Series
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000907