พิมพ์หน้า
NTHL022N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTHL022N120M3Sสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต1 สัปดาห์
รหัสสินค้า4143102
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
132 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
132 จัดส่งใน 4-5 วันทำการ(สหรัฐอเมริกา สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB1,420.730 |
| 5+ | THB1,243.140 |
| 10+ | THB1,030.120 |
| 50+ | THB923.380 |
| 100+ | THB852.530 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB1,420.73
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTHL022N120M3Sสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต1 สัปดาห์
รหัสสินค้า4143102
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id68A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-247
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation352W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
68A
Transistor Case Style
TO-247
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
352W
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00831