พิมพ์หน้า
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์

ไม่มีสต็อกแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMJH6287Gสำเนา
รหัสสินค้า1459094
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd160W
DC Collector Current20A
RF Transistor CaseTO-218
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE100hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The MJH6287G is a 20A PNP bipolar power Darlington Transistor designed for general-purpose amplifier and low speed switching motor control applications. It offers 100C performance specified for reverse-biased SOA with inductive load switching times with inductive loads saturation voltages leakage currents.
- Fast turn-OFF times
- Deflection circuits
- Extremely high RBSOA capability
- Solenoids 80ns inductive fall time 100 C
- Relay drivers 120ns inductive crossover time 100 C
การใช้งาน
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
PNP
Power Dissipation Pd
160W
RF Transistor Case
TO-218
DC Current Gain hFE
100hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
20A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.004082
