พิมพ์หน้า
FQT7N10LTF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFQT7N10LTFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต48 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2101412RL
เทปตัด2101412
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
2 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2 จัดส่งใน 4-5 วันทำการ(สหรัฐอเมริกา สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB18.090 | THB18.09 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB18.09 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB18.090 |
| 10+ | THB13.970 |
| 100+ | THB13.450 |
| 500+ | THB11.140 |
| 1000+ | THB9.930 |
| 5000+ | THB9.380 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFQT7N10LTFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต48 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2101412RL
เทปตัด2101412
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
ตัวเลือกสำหรับ FQT7N10LTF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The FQT7N10LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 5.8nC typical low gate charge
- 10pF typical low Crss
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000211