พิมพ์หน้า
FFSPF1065A
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, Single, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220FP
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFFSPF1065Aสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต28 สัปดาห์
รหัสสินค้า2895654
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
388 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
388 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB111.580 |
| 10+ | THB99.590 |
| 100+ | THB85.640 |
| 500+ | THB84.990 |
| 1000+ | THB77.440 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB111.58
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFFSPF1065Aสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต28 สัปดาห์
รหัสสินค้า2895654
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current10A
Total Capacitive Charge34nC
Diode Case StyleTO-220FP
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
ตัวเลือกสำหรับ FFSPF1065A
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
34nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
10A
Diode Case Style
TO-220FP
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0001