พิมพ์หน้า
FDY2000PZ
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 350 mA
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDY2000PZสำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1495192RL
เทปตัด1495192
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDY2000PZสำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1495192RL
เทปตัด1495192
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Transistor Case StyleSC-89
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel625mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Transistor Case Style
SC-89
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
625mW
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0005